| 型号：MT9VDDT6472HG-335F2 | 类别：存储器 - 模块 | 制造商：Micron Technology Inc |
| 封装：200-SODIMM | 描述：MODULE DDR SDRAM 512MB 200SODIMM | |
详细参数
| 类别 | 存储器 - 模块 |
|---|---|
| 描述 | MODULE DDR SDRAM 512MB 200SODIMM |
| 系列 | - |
| 制造商 | Micron Technology Inc |
| 存储器类型 | DDR SDRAM |
| 存储容量 | 512MB |
| 速度 | 333MT/s |
| 特点 | - |
| 封装/外壳 | 200-SODIMM |
供应商
| 北京元坤国际科技有限公司 | 何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
| 北京显周科技有限公司 | 刘先生13910052844（微信同步） |
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| 深圳市芯宇华航科技有限公司 | 江小姐+86 18025419171 |
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- GRM21BR71H104KA01K
陶瓷
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0805（2012 公制）
CAP CER 0.1UF 50V 10% X7R 0805
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0804（2010 公制），凸起
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CONN RCPT 128POS WALL MNT W/PINS
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AC DC 转换器
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MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- GRM21BR71H104KA01K
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Murata Electronics North America
0805（2012 公制）
CAP CER 0.1UF 50V 10% X7R 0805
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0804（2010 公制），凸起
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CONN RCPT 128POS WALL MNT W/SCKT
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AC DC 转换器
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- GRM21BR71H154KA01L
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0805（2012 公制）
CAP CER 0.15UF 50V 10% X7R 0805
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